zurück Home	Ga, Gallium
allgemeines	silbrig weißes, weiches, leicht schmelzendes Metall Bild von en:user:foobar [CC BY-SA 3.0 (http://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/)]		Bestandteil der Erdkruste: 14 ppm
atomare Eigenschaften	Ordnungszahl 31 Atommasse 69,723 Atomradius   130 pm berechnet 136 pm Kovalent 122 pm Van-der-Waals 187 pm Austrittsarbeit eV Ionisierungsenergie 1. 578,8 kJ/mol 2. 1979,3 kJ/mol 3. 2963 kJ/mol 4. kJ/mol 5. kJ/mol 6. kJ/mol 7. kJ/mol	physikalische Eigenschaften	Dichte 5,904 g/cm3 Mohshärte 1,5 Kristallstruktur 7 Modifikationen diamagnetisch Χm =   -2,3 · 10-5 Schmelzpunkt 29,76 °C Siedepunkt 2400 °C Molares Volumen 11,8 · cm3  / mol Verdampfungswärme 256 kJ/mol Schmelzwärme 5,59 kJ/mol Elektrische Leitfähigkeit 7,14 * 106 A/(V · m) Wärmeleitfähigkeit 29 W/(m · K) Spezifische Wärmekapazität 371 J/(kg · K) Schallgeschwindigkeit 2740 m/s
chemische Eigenschaften	Periode 4 Gruppe 13 Block p Oxidationszahlen +3 Elektronegativität 1,81 Normalpotential -0,53 V Ga+++ + 3 e- -> Ga Elektronenkonfiguration [Ar] 3a10 4s2 4p1 Periodensystem Gruppe 13, Periode 4, Block p
Isotope	Isotop Anteil Halbwertszeit Zerfallsart Energie Zerfallsprodukt 67Ga - 3,2612 d Elektroneneinfang 1 MeV 67Zn 68Ga - 67,629 min β+, Elektroneneinfang 2,921 MeV 68Zn 69Ga 60,1% stabil 70Ga - 21,14 min β- 1,656 MeV 70Ge 71Ga 39,9% stabil 72Ga - 14,10 h β- 4,001 MeV 72Ge 73Ga - 4,86 h β- 1,593 MeV 73Ge
Verbindungen	Ga As Galliumarsenid Halbleiterwerkstoff Dichte 5,31 g·ccm, Schmelzpunkt 1238 °C Die Herstellung von Galliumarsenid-Einkristallen (Kristallzüchtung) erfolgt aus einer Schmelze der beiden Elemente Gallium und Arsen durch dampfdruckgesteuerte Tiegelziehverfahren, Ga (OH)3 Galliumhydroxid   2 Ga (OH)3 + 3 H2S -> Ga2S3 + H2O V3Ga   Supraleiter   Sprungtemperatur 16,8 K GaN Galliumnitrid III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand für blaue und grüne LED Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), einer Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet.
Minerale	Cu Ga S2 Gallit Ga (OH)3 Söhngeit GaO (OH) Tsumgallit
Verwendung	Halbleiter, Leuchtdioden	Silizium: p-Dotierung
	Bau von Thermometern	Galinstan 65 - 95 % Gallium 5 - 22 %  Indium  0 - 11 %  Zinn silberfarbene geruchlose Flüssigkeit Thermischer Volumenausdehnungskoeffizient: 0,000126 K−1 Dichte: 6,44 g/ccm Schmelzpunkt: −19,5 °C Siedepunkt: > 1300 °C Dampfdruck: <10−8 Torr (500 °C) unlöslich in Wasser und organischen Lösungsmitteln	In Kernwaffen mit Plutonium legiert
	Beschichtung für Spiegel	Magnetische Werkstoffe Legieren mit Gadolinium, Eisen, Yttrium, Lithium, Magnesium.	Detektormaterial für Neutrinos. Schwellenwert für den Neutrinoeinfang 233,2 keV.
Teil von	Periodensystem	Anorganische Chemie	Chemie

Impressum                               Zuletzt geändert am 03.10.2024 10:52